型号：FF200R06YE3ENG
功能描述：IGBT 模块
RoHS：否
制造商：Infineon Technologies
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：1.95 V
在25 C的连续集电极电流：230 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：445 W
最大工作温度：+ 125 C
封装 / 箱体：34MM
封装：
FF200R12KE3
FF200R12KE3_B2
FF200R12KE4
FF200R12KS4
FF200R12KT3
FF200R12KT3_E
FF200R12KT4
FF200R12MT4
FF200R17KE3
FF200R17KE3_S4
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